9月1日電， 世界最大芯片生產商美國英特爾公司宣布，已采用最先進的65納米芯片制造工藝生產出了儲存量為70兆的靜態隨機存取存儲器（SRAM）芯片。該公司同時宣布，下一代納米芯片制造技術水平將達到45納米。 　　作為半導體工業新技術商業化常用的測試元器件，靜態存取記憶器在邏輯制造方面的技術可以用于制造微處理器。英特爾稱，使用65納米制造工藝可將晶體管尺寸縮小約30％，從而可以在一塊芯片上集成更多晶體管。這種新工藝為英特爾將來推出多內核電腦中央處理器芯片以及開發視頻和安全等方面的新功能奠定了基礎，它可以提高芯片性能，還具有節能等特點。美國俄勒岡州的芯片制造廠明年準備率先利用65納米新技術大規模生產芯片。 　　1納米等于1米的十億分之一。業內人士認為，65納米芯片制造技術的成功將再次使英特爾芯片龍頭老大的地位更為穩固。此前，不少芯片制造商試圖開發90納米與65納米尺度的芯片制造新技術，但終因成本昂貴不得不放棄。目前新一代的0.13微米，相當于130納米芯片試生產的成本就高達80萬美元。很少有集成電路方面的設計公司能承擔得起。 　　有關專家指出，利用納米新材料技術，芯片的集成度將再次出現倍數增長。英特爾的納米芯片新制造技術持續驗證了半導體界經典的“摩爾定律”的有效性?！澳柖伞痹捎⑻貭柟緞撧k人摩爾提出，即芯片的集成度每18個月就會增加一倍。在此之前，“摩爾定律”受到傳統半導體材料極限的限制。